National Tsing Hua University Institutional Repository:Ag buffer layer effect on magnetization reversal of epitaxial Co films
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    National Tsing Hua University Institutional Repository > 工學院  > 材料科學工程學系 > 期刊論文 >  Ag buffer layer effect on magnetization reversal of epitaxial Co films


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    题名: Ag buffer layer effect on magnetization reversal of epitaxial Co films
    作者: D. H. Wei;C. C. Yu;S. C. Chou;Y. D. Yao;Y. Liou;T. S. Chin
    教師: 金重勳
    日期: 2004
    出版者: John Wiley & Sons
    關聯: physica status solidi (a)
    Volume 201, Issue 15, pages 3361–3365, December 2004
    关键词: Ag
    buffer
    layer
    magnetization
    reversal
    epitaxial
    Co
    films
    摘要: Nano-sized Ag(111) islands were first prepared by using molecular beam epitaxy technique on diluted-hydrofluoric acid etched Si(111) substrate. Epitaxial Co films were then grown onto the Ag films at 100 蚓 to decrease interdiffusion. The Ag buffer layer designed to form isolated islands with {111} sidewalls on the Si(111) substrate, and provided Co films (111) texture growth to study the correlation between magnetic properties of Co films and Ag buffer layer effect. It reveals that the Ag rough surface acts as a pinning source and Ag {111} sidewalls also plays an important role on the magnetoresistance transition of Co films.
    URI: http://www.wiley.com/
    http://nthur.lib.nthu.edu.tw/dspace/handle/987654321/52861
    显示于类别:[材料科學工程學系] 期刊論文

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