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    National Tsing Hua University Institutional Repository > 理學院 > 化學系 > 專利  >  在氧化氣氛下沉積銅金屬薄膜的方法及銅金屬前驅物


    Please use this identifier to cite or link to this item: http://nthur.lib.nthu.edu.tw/dspace/handle/987654321/58158


    Title: 在氧化氣氛下沉積銅金屬薄膜的方法及銅金屬前驅物
    Authors: 季, 昀;CHI, YUN;裘, 元杰;CHIU, YUAN-CHIEH;艾迪;EDDY
    教師: 季昀
    Date: 2006/6/1
    Relation: 專利權人:國立清華大學
    Keywords: 氧化
    沉積
    銅金屬薄膜
    前驅物
    配位基錯合物
    Abstract: 本發明揭示一種以化學氣相沈積(CVD)於一基材上沈積出銅金屬薄膜的方法,包含在一基材的存在下及一含有氧氣的氣氛下使銅-配位基錯合物的蒸氣被分解。
    URI: http://twpat2.tipo.gov.tw/
    http://nthur.lib.nthu.edu.tw/dspace/handle/987654321/58158
    Appears in Collections:[化學系] 專利

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