English  |  正體中文  |  简体中文  |  Items with full text/Total items : 54367/62174 (87%)
Visitors : 14135622      Online Users : 71
RC Version 6.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTHU Library IR team.
Scope Tips:
  • please add "double quotation mark" for query phrases to get precise results
  • please goto advance search for comprehansive author search
  • Adv. Search
    HomeLoginUploadHelpAboutAdminister Goto mobile version
    National Tsing Hua University Institutional Repository > 理學院 > 化學系 > 專利  >  改善蝕刻中止層與金屬層間之黏著性之製程與結構


    Please use this identifier to cite or link to this item: http://nthur.lib.nthu.edu.tw/dspace/handle/987654321/58162


    Title: 改善蝕刻中止層與金屬層間之黏著性之製程與結構
    Authors: 林, 俊成;LIN, JING-CHENG;彭, 兆賢;PENG, CHAO-HSIEN;眭, 曉林;SHUE, SHAU-LIN;梁, 孟松;LIANG, MONG-SONG
    教師: 林俊成
    Date: 2005/5/11
    Relation: 專利權人:台灣積體電路製造股份有限公司
    Keywords: 蝕刻
    黏著性
    中止層
    金屬層
    Abstract: 一種改善蝕刻中止層與金屬層間之黏著性之製程與結構。此製程與結構包括利用原子層沉積法在金屬層與蝕刻中止層間增加了一層金屬氮化物作為覆蓋層,藉以增加蝕刻中止層與金屬層之黏著性,以提升可靠度。
    URI: http://twpat2.tipo.gov.tw/
    http://nthur.lib.nthu.edu.tw/dspace/handle/987654321/58162
    Appears in Collections:[化學系] 專利

    Files in This Item:

    File Description SizeFormat
    2010318060002a.pdf433KbAdobe PDF343View/Open


    在NTHUR中所有的資料項目都受到原著作權保護,僅提供學術研究及教育使用,敬請尊重著作權人之權益。若須利用於商業或營利,請先取得著作權人授權。
    若發現本網站收錄之內容有侵害著作權人權益之情事,請權利人通知本網站管理者(smluo@lib.nthu.edu.tw),管理者將立即採取移除該內容等補救措施。

    SFX Query

    與系統管理員聯絡

    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - Feedback