National Tsing Hua University Institutional Repository:Structure of HfO2 films epitaxially grown on GaAs(001)
English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文笔数/总笔数 : 54367/62174 (87%)
造访人次 : 13946493      在线人数 : 63
RC Version 6.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTHU Library IR team.
搜寻范围 查询小技巧:
  • 您可在西文检索词汇前后加上"双引号",以获取较精准的检索结果
  • 若欲以作者姓名搜寻,建议至进阶搜寻限定作者字段,可获得较完整数据
  • 进阶搜寻
    National Tsing Hua University Institutional Repository > 理學院 > 物理系 > 期刊論文 >  Structure of HfO2 films epitaxially grown on GaAs(001)


    jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://nthur.lib.nthu.edu.tw/dspace/handle/987654321/55546


    题名: Structure of HfO2 films epitaxially grown on GaAs(001)
    作者: Hsu, C. -H.;Chang, P.;Lee, W. C.;Yang, Z. K.;Lee, Y. J.;Hong, M.;Kwo, J.;Huang, C. M.;Lee, H. Y.
    教師: 郭瑞年
    日期: 2006
    出版者: American Institute of Physics
    關聯: APPLIED PHYSICS LETTERS, American Institute of Physics, Volume 89, Issue 12, SEP 18 2006
    关键词: ATOMIC-LAYER DEPOSITION
    X-RAY-DIFFRACTION
    HAFNIUM OXIDE
    ZRO2
    摘要: High-quality HfO2 films of technologically important thickness ranging from 1.8 to 17 nm have been grown epitaxially on GaAs (001) by molecular beam epitaxy. Thorough structural and morphological investigations were carried out by x-ray scattering and high-resolution transmission electron microscopy. The films exhibit an atomically sharp interface with the substrate and are of a monoclinic phase with predominant (001)-plane epitaxy between the HfO2 films and GaAs, in spite of a large lattice mismatch of > 8.5%.
    URI: http://www.aip.org/
    http://nthur.lib.nthu.edu.tw/dspace/handle/987654321/55546
    显示于类别:[物理系] 期刊論文

    文件中的档案:

    档案 描述 大小格式浏览次数
    2010113010012.pdf121KbAdobe PDF461检视/开启


    在NTHUR中所有的資料項目都受到原著作權保護,僅提供學術研究及教育使用,敬請尊重著作權人之權益。若須利用於商業或營利,請先取得著作權人授權。
    若發現本網站收錄之內容有侵害著作權人權益之情事,請權利人通知本網站管理者(smluo@lib.nthu.edu.tw),管理者將立即採取移除該內容等補救措施。

    SFX Query

    與系統管理員聯絡

    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回馈