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    National Tsing Hua University Institutional Repository > 理學院 > 化學系 > 專利  >  以非晶質含氫碳化矽薄膜改進奈米孔洞二氧化矽薄膜介電特性之製作方法


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    Title: 以非晶質含氫碳化矽薄膜改進奈米孔洞二氧化矽薄膜介電特性之製作方法
    Authors: 吳, 柏偉;潘, 扶民;卓, 恩宗;蔡, 增光;楊, 家銘;趙, 桂蓉
    教師: 楊家銘
    Date: 2003/9/21
    Relation: 專利權人:行政院國家科學委員會
    Keywords: 蝕刻終止層製程
    疏水性改質製程
    鍛燒製程
    介電常數
    二氧化矽
    奈米孔洞
    薄膜
    非晶質
    含氫
    碳化矽
    雙層鑲嵌
    Abstract: 本發明提出一種以非晶質含氫碳化矽薄膜改進奈米孔洞二氧化矽薄膜介電特性之製作方法,此方法整合了超低介電常數奈米孔洞二氧化矽薄膜之鍛燒製程、疏水性改質製程及蝕刻終止層製程,係運用了非晶質含氫碳化矽薄膜做為雙層鑲嵌(dual damascene)製程中的蝕刻終止層(etch-stop layer),並將含版模(template)高分子之超低介電常數奈米孔洞二氧化矽薄膜的前驅物溶液塗佈在其上。當進行鍛燒製程時,薄膜孔洞疏水性改質製程將同時被執行完成。
    URI: http://twpat2.tipo.gov.tw/
    http://nthur.lib.nthu.edu.tw/dspace/handle/987654321/58183
    Appears in Collections:[化學系] 專利

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