National Tsing Hua University Institutional Repository:超低介電常數毫微米孔洞二氧化矽薄膜之製備
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    National Tsing Hua University Institutional Repository > 理學院 > 化學系 > 專利  >  超低介電常數毫微米孔洞二氧化矽薄膜之製備


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    题名: 超低介電常數毫微米孔洞二氧化矽薄膜之製備
    作者: 楊, 家銘;卓, 恩宗;蔡, 增光;趙, 桂蓉;潘, 扶民
    教師: 楊家銘
    日期: 2002/1/1
    關聯: 專利權人:施敏
    关键词: 低介電常數
    模板
    毫微米
    孔洞
    二氧化矽
    薄膜
    旋轉塗佈
    鍛燒
    改質劑
    摘要: 一種製備超低介電常數之毫微米孔洞二氧化矽薄膜之方法,係先配製一二氧化矽前驅物溶液,其中二氧化矽前驅物溶液中至少包含有一模板(template)高分子以及改質劑,然後以旋轉塗佈的方式將二氧化矽前驅物溶液塗佈於基底上。接著,進行一鍛燒(calcination)製程,將模板高分子去除以形成複數個規則排列之毫微米孔洞,便初步製作完成具有低介電常數之毫微米孔洞二氧化矽薄膜,其介電常數為2.50。進一步以氫氣處理以及HMDS改質劑蒸氣處理對孔洞表面進行改質,豪微米孔洞二氧化矽薄膜之介電常數了降至k=1.42~2.0。
    URI: http://twpat2.tipo.gov.tw/
    http://nthur.lib.nthu.edu.tw/dspace/handle/987654321/58185
    显示于类别:[化學系] 專利

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