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    National Tsing Hua University Institutional Repository > 理學院 > 化學系 > 專利  >  超低介電常數毫微米孔洞二氧化矽薄膜材料之電漿鍛燒製程


    Please use this identifier to cite or link to this item: http://nthur.lib.nthu.edu.tw/dspace/handle/987654321/58186


    Title: 超低介電常數毫微米孔洞二氧化矽薄膜材料之電漿鍛燒製程
    Authors: 蔡, 增光;楊, 家銘;卓, 恩宗;潘, 扶民;趙, 桂蓉
    教師: 楊家銘
    Date: 2001/11/11
    Relation: 專利權人:施敏
    Keywords: 漏電流
    氨氣
    氫氣
    氧氣電漿鍛燒
    矽基材
    前驅物
    電漿
    改質劑
    鍛燒
    旋轉塗佈
    薄膜
    孔洞
    二氧化矽
    毫微米
    低介電常數
    模板
    Abstract: 一種應用於超低介電常數之毫微米孔洞二氧化矽薄膜之電漿鍛燒製程,係先配製含模板(template)高分子之二氧化矽前驅物溶液,再將此前驅物溶液塗佈於矽基材上,然後進行氧氣電漿鍛燒製程,將二氧化矽前驅物溶液中的模板高分子去除,以形成複數個毫微米孔洞,而初步製作完成一具有超低介電常數之毫微米孔洞二氧化矽薄膜。後續之孔洞表面改質處理,本發明使用HMDS改質劑蒸氣處理以及一低功率氫氣或氨氣等還原性氣體電漿處理,可以有效地減少薄膜中碳含量與降低薄膜之介電常數及漏電流密度。
    URI: http://twpat2.tipo.gov.tw/
    http://nthur.lib.nthu.edu.tw/dspace/handle/987654321/58186
    Appears in Collections:[化學系] 專利

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