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    National Tsing Hua University Institutional Repository > 電機資訊學院 > 電機工程學系 > 專利  >  增加高電壓金氧半場效電晶體耐久性之方法


    Please use this identifier to cite or link to this item: http://nthur.lib.nthu.edu.tw/dspace/handle/987654321/58655


    Title: 增加高電壓金氧半場效電晶體耐久性之方法
    Authors: 朱, 文定;郭, 迪生;葉, 壯格;謝, 佳達;林, 崇榮;曹, 昇巍
    教師: 林崇榮
    Date: 2002/11/1
    Relation: 專利權人:台灣積體電路製造股份有限公司
    Keywords: 高電壓
    電壓耐久
    MOS電晶體
    Abstract: 此處揭露了增加高電壓耐久性的MOS電晶體製作方法。其中先提供一半導體底材,並在此半導體底材上定義出主動區域與環繞於其週邊之隔離區域。接著,定義閘極結構於主動區域上表面,其中閘極結構橫跨主動區域,而將主動區域劃分為第一區域與第二區域,此閘極結構之兩端並分別與隔離區域接觸。再定義多晶矽柱於閘極結構側壁上,並沿著第一區域上表面,沿伸至該隔離區域上表面,而覆蓋住閘極結構、第一區域與隔離區域的接面位置。隨後,對第一區域與第二區域進行離子佈植程序,以分別定義汲極區域與源極區域,而形成MOS電晶體。
    URI: http://twpat.tipo.gov.tw/
    http://nthur.lib.nthu.edu.tw/dspace/handle/987654321/58655
    Appears in Collections:[電機工程學系] 專利

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