English  |  正體中文  |  简体中文  |  Items with full text/Total items : 54367/62174 (87%)
Visitors : 13392026      Online Users : 201
RC Version 6.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTHU Library IR team.
Scope Tips:
  • please add "double quotation mark" for query phrases to get precise results
  • please goto advance search for comprehansive author search
  • Adv. Search
    HomeLoginUploadHelpAboutAdminister Goto mobile version
    National Tsing Hua University Institutional Repository > 電機資訊學院 > 電機工程學系 > 專利  >  主動式光二極體互補式金氧半影像感測器之製造方法


    Please use this identifier to cite or link to this item: http://nthur.lib.nthu.edu.tw/dspace/handle/987654321/58736


    Title: 主動式光二極體互補式金氧半影像感測器之製造方法
    Authors: 郭, 東政;廖, 崇維;金, 雅琴;徐, 清祥
    教師: 金雅琴
    Date: 2001/8/21
    Relation: 專利權人:雙漢科技股份有限公司
    Keywords: 主動式
    光二極體
    互補式
    金氧半
    影像感測
    介電層
    導體層
    矽化物
    Abstract: 一種主動式光二極體互補式金氧半影像感測器之製造方法,其方法係在基體上形成一層介電層與一層導體層,之後,以微影與蝕刻技術定義導體層與介電層,使留下之導體層形成電晶體之一閘極導體層以及數個位於二極體感光區的虛擬閘極。然後,在基體中形成源極/汲極之淡摻雜區以及二極體感光區之摻雜區。之後,在閘極導體層以及虛擬閘極的側壁形成間隙壁,以使位於虛擬閘極其彼此之間的間隙壁係相互連接。然後,再於基體中形成源極/汲極的重摻雜區。最後,再進行自動對準金屬矽化物製程,以在閘極導體層以及源極/汲極上形成金屬矽化物。
    URI: http://twpat.tipo.gov.tw/
    http://nthur.lib.nthu.edu.tw/dspace/handle/987654321/58736
    Appears in Collections:[電機工程學系] 專利

    Files in This Item:

    File Description SizeFormat
    2030158060009a.pdf556KbAdobe PDF191View/Open


    在NTHUR中所有的資料項目都受到原著作權保護,僅提供學術研究及教育使用,敬請尊重著作權人之權益。若須利用於商業或營利,請先取得著作權人授權。
    若發現本網站收錄之內容有侵害著作權人權益之情事,請權利人通知本網站管理者(smluo@lib.nthu.edu.tw),管理者將立即採取移除該內容等補救措施。

    SFX Query

    與系統管理員聯絡

    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - Feedback