National Tsing Hua University Institutional Repository:動態隨機存取記憶體及其製造方法
English  |  正體中文  |  简体中文  |  Items with full text/Total items : 54367/62174 (87%)
Visitors : 14538102      Online Users : 183
RC Version 6.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTHU Library IR team.
Scope Tips:
  • please add "double quotation mark" for query phrases to get precise results
  • please goto advance search for comprehansive author search
  • Adv. Search
    HomeLoginUploadHelpAboutAdminister Goto mobile version
    NTHUR > College of Nuclear Science  > Department of Engineering and System Science  > ESS Patents  >  動態隨機存取記憶體及其製造方法


    Please use this identifier to cite or link to this item: http://nthur.lib.nthu.edu.tw/dspace/handle/987654321/59007


    Title: 動態隨機存取記憶體及其製造方法
    Authors: 巫, 勇賢;WU, YUNG-HSIEN
    Teacher: 巫勇賢
    Date: 2005/8/21
    Relation: 專利權人:茂德科技股份有限公司 PROMOS TECHNOLOGIES INC.
    Keywords: 動態
    隨機存取
    記憶體
    碳化矽
    碳鍺化矽
    資料保存
    Abstract: 本發明提出一種動態隨機存取記憶體,係具有碳化矽區及碳鍺化矽摻雜區。由於碳化矽區能提供較高的能帶隙可減少漏電流,可減少下電極的深度,進一步增加記憶胞對位元線的電容比。另一方面,碳化矽區,可減少接面漏電流的現象。因此,可以效延長資料保存時間。
    URI: http://twpat.tipo.gov.tw/
    http://nthur.lib.nthu.edu.tw/dspace/handle/987654321/59007
    Appears in Collections:[Department of Engineering and System Science ] ESS Patents

    Files in This Item:

    File Description SizeFormat
    2060114060003a.pdf172KbAdobe PDF422View/Open


    在NTHUR中所有的資料項目都受到原著作權保護,僅提供學術研究及教育使用,敬請尊重著作權人之權益。若須利用於商業或營利,請先取得著作權人授權。
    若發現本網站收錄之內容有侵害著作權人權益之情事,請權利人通知本網站管理者(smluo@lib.nthu.edu.tw),管理者將立即採取移除該內容等補救措施。

    SFX Query

    與系統管理員聯絡

    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - Feedback