National Tsing Hua University Institutional Repository:動態隨機存取記憶體及其製造方法
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    题名: 動態隨機存取記憶體及其製造方法
    作者: 巫, 勇賢;WU, YUNG-HSIEN
    教師: 巫勇賢
    日期: 2005/8/21
    關聯: 專利權人:茂德科技股份有限公司 PROMOS TECHNOLOGIES INC.
    关键词: 動態
    隨機存取
    記憶體
    碳化矽
    碳鍺化矽
    資料保存
    摘要: 本發明提出一種動態隨機存取記憶體,係具有碳化矽區及碳鍺化矽摻雜區。由於碳化矽區能提供較高的能帶隙可減少漏電流,可減少下電極的深度,進一步增加記憶胞對位元線的電容比。另一方面,碳化矽區,可減少接面漏電流的現象。因此,可以效延長資料保存時間。
    URI: http://twpat.tipo.gov.tw/
    http://nthur.lib.nthu.edu.tw/dspace/handle/987654321/59007
    显示于类别:[工程與系統科學系] 專利

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