National Tsing Hua University Institutional Repository:Low Power and High Speed Bipolar Switching with A Thin Reactive Ti Layer in HfO2 Based RRAM
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    National Tsing Hua University Institutional Repository > 電機資訊學院 > 電機工程學系 > 會議論文  >  Low Power and High Speed Bipolar Switching with A Thin Reactive Ti Layer in HfO2 Based RRAM


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    题名: Low Power and High Speed Bipolar Switching with A Thin Reactive Ti Layer in HfO2 Based RRAM
    作者: C. H. Lien;H. Y. Lee;P. S. Chen;T. Y. Wu;Y. S. Chen;C. C. Wang;P. J. Tzeng;F. Chen;M.-J. Tsai
    教師: 連振炘
    日期: 2009
    出版者: Institute of Electrical and Electronics Engineers
    關聯: International Electron Devices and Materials Symposium, Taoyuan, Taiwan, Nov. 19-20, 2009
    关键词: HfO2
    RRAM
    相関连結: http://www.ieee.org/
    URI: http://nthur.lib.nthu.edu.tw/dspace/handle/987654321/69104
    显示于类别:[電機工程學系] 會議論文

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