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    Title: 氧化銦錫奈米線之合成與光觸媒性質
    Authors: 顏伍宏
    Description: GH02101031600
    碩士
    材料科學工程學系
    Date: 2014
    Keywords: 氧化銦錫;光觸媒
    Abstract: 本研究以VLS熱蒸鍍法合成出氧化銦錫奈米線,藉由改變製程溫度、氧氣的流量及來源粉末不同比率三種參數,觀察合成出之氧化銦錫奈米線形貌以及性質上的差異,尋找出最佳的奈米線製程參數後,而後將此合成出的奈米線進行光學、光觸媒特性分析並比較不同錫摻雜量之間的關係。以場發射電子顯微鏡(FESEM)分析不同製程溫度及氧流量下的奈米線形貌,在溫度偏高、氧流量太小及太大的情況下,會影響奈米線的成長及形貌,最佳狀況為700 C以及氧流量4.5 sccm下合成出高密度的奈米線,奈米線線徑約為200-300 nm,線長約為10 m。X光粉末繞射儀(XRD)及穿透式電子顯微鏡(TEM)確認奈米線的結構為單晶的立方鐵錳礦 (Cubic Bixbyite) 結構,不會受持溫溫度及粉末比率等製程參數而改變。紫外光可見光(UV-vis)光譜圖中觀察隨錫摻雜增加,吸收峰先往長波長之後往短波長偏移,推測錫摻雜量偏高時奈米線轉變為簡併型半導體。經由紫外光可見光光譜圖和 Tauc 關係式求出氧化銦錫奈米線的光學能階,發現光學能階隨摻雜少量的錫增加而減少,隨著摻雜過多的錫增加而增加。光觸媒特性中,少量的摻雜錫進入奈米線,可有效提升光觸媒效率,但在較高的錫摻雜量下,因奈米線會轉變為簡併型半導體,使光觸媒效率降低。
    URI: http://nthur.lib.nthu.edu.tw/dspace/handle/987654321/86143
    Source: http://thesis.nthu.edu.tw/cgi-bin/gs/hugsweb.cgi?o=dnthucdr&i=sGH02101031600.id
    Appears in Collections:[材料科學工程學系] 博碩士論文

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